Таъминкунандаи глобалии ҳифзи муҳити зист

Технологияи нави мулоим ва дархости он дар маводи гармоварона

Аз соли 1966 технологияи EM ба тадқиқот ва таҳқиқи маводи изолятсия ӯҳдадор шудааст. Парвариши 56-сола дар соҳаи саноати илмию таҳқиқот ташаккул ёфтааст, беш аз 30 намуди маводи илмӣ-тадқиқотии нав таҳия ва хидматрасонии нерӯи барқ, хидматрасонӣ, энергия, энергия, энергия, энергетика ва дигар соҳаҳо. Дар байни онҳо, барномаМаводи гарминигоҳин дар мошинҳои тарбиявӣ низ яке аз самтҳои асосии мо ба мо дахл дорад.

Тавре ки як насли нави технологияи DC, интиқоли фасеҳи DC ба сохтори дастгоҳи ҶВДТ шабеҳ аст, ки то ҳол аз истгоҳҳои интиқолдиҳанда ва хатҳои интиқоли DC. Технологияи шахсии манбаъи манбаъи манбаи ҶДММ дар асоси навъи Compression Secterter Deverser Steverser дар асоси навъи ивазкунандаи манбаи амалкунанда фарқ мекунад, ки аз рӯи технологияи даврӣ (VSC) мебошад, ки бо истифодаи дастгоҳҳои босуръат (одатан IGBT) ва технологияи баландии баландсифат тавсиф карда мешавад. Дар солҳои охир, интиқоли фасеҳи DC ба синф ва қобилияти шиддати баландтар рушд мекунад.

Вазъи аризаи ИхПТТ: Игорслест аз дарвозаи Bipe Bipolustuentus аст, ки метавонад хомӯш шавад, бартарии талафоти хурд дорад ва метавонад ҳамчун CPU интиқоли нарми мустақим дошта бошад. Дар айни замон, IGBT ба лоиҳа истифода бурда мешавад, асосан ABB ва Siemens, дар ҳоле ки IGBT-и дохилӣ бо шиддатҳои баланд ва иқтидори баланд маҳсулоти баркамол надорад. Дар айни замон, пешрафти маҳаллӣ суст аст, вобастагии воридот мустаҳкам аст ва хавф нисбатан калон аст. Ҳамзамон, арзиши IGBT ҳисобҳои IGBT барои тақрибан 30% арзиши клапан.

Муваффақияти IGT-и нав: Бо назардошти имконпазирии имконпазирии IGBT дар Хитой, мо кӯшиш мекунем, ки ИНТТ-ро бо IGBT иваз кунем. Басомади гардиш, қудрати ронандагӣ ва дигар иҷрои IGCT аз IGBBT пасттар аст, аммо он дорои гум кардани иқтидор, фурӯзон ва арзиш дорад (нархи маҳсулот бо ҳамон як иқтидор тақрибан 1/2 IGBT мебошад). Аммо, агар IGC анъанавии интиқоли нокифоя татбиқ карда шавад, пас IGCT татбиқ карда мешавад, думе, ки ба система ҷорӣ кардани баръакс тавлид хоҳад кард, ки ба система таъсири бузург мерасонад. Аз ин рӯ, бо мақсади муҳофизати диод, мо ба ICT навро тавассути илова кардани доираи ҷаббии иловагӣ дар модули анъанавии IGCT, барои коҳиш додани таъсир ба система таҳқиқ кардем.

Барномаҳои нави ИТТТ: Бо илова бар иловаи маисҳои иловагӣ Системаи энергетикии CO., LTD. Пеш аз таҳқиқи аслӣ маводи изолятсияро барои ноҳияи Йуннан Майти Пешниҳод кунед. Агар тарроҳӣ ба схемаи системаи XD асос ёфтааст, шумораи модулҳои ИТТТро нисбат ба IGBT нисбат ба IGBT кам карда мешавад ва миқдори умумии маводи серодам 2-3 маротиба аз IGBT метавонад коҳиш ёбад.

For more product information please refer to the official website: https://www.dongfang-insulation.com/ or mail us: sales@dongfang-insulation.com